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Cap.1 Diodos
| Question | Answer |
|---|---|
| Dispositivo de estado solido | Estructura de cristal duro |
| Dispositivo electronico discreto | Individual |
| Cuales son las dos clases de mat. semiconductores | De un solo cristal y compuesto |
| Mencione un semiconductor de un solo cristal | Germanio y Silicio |
| Materiales que se componen de dos o mas semiconducores | Arseniuro de glio sulfuro de cadmio nitruro de galio |
| Tres semicunductores mas usados para la construccion de dispositivos | Ge Si GaAs |
| Por que los dioodos de Ge son poco confiables | Por su sensibilidad a la temperatura |
| Ventaja del diodo de GaAs | Alto desempeno 5 veces mas rapido que el de Si |
| De que se compone un atomo | Electron proton y neutron |
| Electrones de valencia del Si y Ge | Cuatro |
| Electrones de valencia del Galio | Tres |
| Atomos con cuatro electrones de valencia | Tetravalentes |
| Atomos con tres atomos de valencia | Trivalentes |
| Atomos con cinco atomos de valencia | Pentavalentes |
| Enlace covalente | Enlace de átomos reforzado por compartir electrones |
| Termino Intrinseco | Material que fue refinado para reducirimpurezas |
| Electrones libres presentes debido a causas externas | Portadores intrinsecos |
| La capacidad de cambiar las caracteristticas de un material se llama | Dopado |
| Es el termino que aplica a un material semiconductor que fue refinado para reducir sus impurezas | Intrinseco |
| En estos materiales la resistencia aumenta con el aumento de calor | Conductores |
| Como es el coeficiente de temperatura e los conductores | Positivo |
| Materiales que conducen cuando se les aplica calor | Semiconductores |
| Como es el coeficiente de temperatura de un semiconductor | Negativo |
| Un electron en la banda de valencia de silicio debe absorber mas energia que uno | Uno en la banda de valencia de Germanio para ser portador libre |
| Cuando es probable que la energia liberada lo haga en forma de ondas luminosas visibles o invisibles | Cuanto mas ancha es la brecha deenergia |
| En el caso del Ge y Si al tener una brecha tan pequeña como se libera su energia | En forma de calor |
| En al caso del GaAs la brecha es suficientemente grande para producir | Radiacion luminosa |
| Que deterina el color de un LED | El nivel de dopado y los materiales utilizados |
| En que cantidad se agregan las impurezas | 1 parte en 10 millones |
| Un material que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como | Material extrinseco |
| Cuales son los dos tipos de materiales extrinsecos | Tipo n y tipo p |
| Como se crea un material tipo n | Introduciendo elementos de impurezas con cinco elctrones de valencia |
| Ejemplo de materiales con cinco electrones de valencia | Antimonio arsenico fosforo |
| Como se conocen las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia | Atomos donadores |
| Se forman dopando un cristal de germanio o silicio puro con atomos de impurezas de tres elect de valencia | Materiales tipo p |
| Como se les llama a las impurezas difundidas con tres electrones de valencia | Atomos aceptores |
| Como se llama el electron en un material tipo n | Portador mayoritario |
| Como se llama el electron en un material tipo p | Portador minoritario |
| En que material el hueco es el portador mayoritario y el electron el minoritario | Material tipo p |
| Como se llama la region de iones positivos y negativos evelados | Region de empobrecimiento |
| Es el hecho de aplicar un voltaje externo a traves de las dos terminales de un dispositivo | Polarizacion |
| Cuales son las polaridades definidas de un diodo | Inversa directa y sin polarizacion |
| Como se llama la corrienre en condiciones de polarizacion inversa | Corriente de saturacion inversa y se representa como Is |
| De que valor es la corriente en inversa de un diodo | nano amperes |
| Que representa la flecha del simbolo del diodo? | La direccion definida de la corriente convencional en la region de voltaje positivo |
| En que ecuacion se muestra que la corriente de saturacion en inversa de la unidad comercial es mayor que la Is | Shockley |
| Como es la corriente de saturacion en inversa real de un diodo comercial medible comparada con la de la ec. Shockley | Mayor |
| Con que tiene relacion directa el area de contacto de la union | Con el nivel de corriente de saturacion inversa |
| Es el potencial que produce un cambio abrupto de las caracteristicas de un diodo | Potencial Zener |
| Como se llama al maximo potencia de polarizacion en inversa que se puede aplicar antes de entrar a la region Zener | Voltaje inverso pico PIV |
| Par que se conectan los diodos en paralelo | Para incrementar la capacidad de llevar corriente |
| Como se incrementa la corriente de saturacion en inversa de un diodo a tempratura fija | Incrementando la polarizacion en inversa |
| Como se comporta la corriente de saturacion en inversa de un diodo de silicio en la region de polarizacion inversa | Se duplica por cada 10ºC |
| El voltaje de saturacion en inversa de un diodo se incrementa o reduse con... | La temperatura segun el potencial Zener |
| Como se comporta el diodo semiconductor | Como un interruptor mecanico |
| En que es diferente el diodo semiconductor a un interruptor comun | Que solo permite el paso de corriente en un sentido |
| Cuanto mayor es la corriente a traves de un diodo | Menor es el nivel de resistencia cd |
| Es sensible a la frecuencia | Todo dispositivo electronico |
| Que capacitancia se encuentra en la region de polarizacion en inversa | Capacitancia de transcion o de region de empobrecimiento |
| Que capacitancia se encuentra en la zona de polarizacion directa | Capacitancia de almacenamiento o difusion |
| En que polarizacion se ecuentran una gran cantidad de electrones del material tipo n avanzando al tipo p y un gran hueco en e tipo n | Polarizacion directa |
| Que incluye la hoja de datos de los diodos | Voltaje en directa Vf Corriente maxima en inversa If corriente de saturacion en inversa Ir valor nominal de voltaje inverso PIV |
| A que se refiere el ánodo | Al potencial positivo o mas alto |
| A que se refiere el catodo | Al potencial negativo o mas bajo |
| Que indica una medicion OL en un diodo | que esta abierto o defectuoso |
| Como es la dieccion de conduccion para un diodo zener | Opuesta a la flecha des u simbolo |
| Como se controla la ubicacion de la region zener | variando los niveles de dopado |
| Es muy sensible a la temperatura de operacion | El potencial de un diodo Zener |
| Como son los coeficientes de tempertura en diodos Zener de menos de 5 volts | Negativo |
| En diodos de Si y Ge el-mayor porcentaje de energia se disipa en forma de | Calor |
| Los diodos construidos de GaAs como actua en su proceso de recombinacion en la union p n | Emiten luz infrarroja visible |
| Con que se relaciona la longitud de onda y frecuencia de la luz de un color | Con la brecha de la banda de energia material |
| A que corresponde una candela | A un flujo de luz de 4pi lumenes |
| Es aquella en que una variable de interes se grafica con un nivel especifico definido como valor de referencia con una magnitud de uno | Una grafica normailzada |
| Es la medida de la capacidad de un dispositivo de producir el efecto deseado | Eficacia |
| Como se representa la eficacia de un LED | La relacion del numero de lumenes generados por watt aplicado de energia electrica |
| En cuanto oscila el voltaje de ruptura en inversa de un LED | 3V y 5V |
| Es un corto circuito en la region de conduccion y un circuito abierto en la region de no conduccion | Un diodo ideal |
| Puede provocar un incremento significativo del numero de electrones libres de un material semiconductor | El aumento de las temperaturas |
| Como se forma el material tipo n | Agregando atomos donadores que contengan cinco electrones de valencia |
| Es el material en que el hueco es el portador mayoritario y el electron el minoritario | Material tipo n |
| Como se form un material tipo p | Agregando atomos aceptores con tres electrones de valencia para establecer un alto nivel de huecos |
| Es el material donde el electron es el portador mayoritario y el hueco es el minoritario | Material tipo p |
| Como incrementa la corriente de un diodo en la region de polarizacion inversa | Exponencialmente |
| Que valor tiene el voltaje de umbral | 0.7 para silicio y 0.3 para germanio |
| Elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un buen aislante | Semiconductor |
| Era más difícil e fabricar a altos niveles de pureza y más caro | GaAs |
| Capacidad de los electrones libres de moverse por todo el material | Movilidad relativa |
| Cuanto más alejado está un electrón del núcleo, mayor es | Su estado de energia |
| Un electrón en la banda de Valencia de arseniuro de galio debe absorber más energía que uno de silicio o germanio | Para entrar en banda de conducción |
| Tiene aplicaciones de foto detectores sensibles a la luz y sistemas de seguridad sensibles al calor | Dispositivos de Ge |
| Como se le conoce a los niveles de energía discretos | Nivel donador |
| Que provocan en la regional próxima ala unión dos materiales al unirse | Una carencia de portadores libres |
| Como se le llama a la regional de iones positivos y negativos revelados | Región de empobrecimiento |
| Que corriente produce la s¡ausencia de voltaje a través de un resistor | Cero |
| En esta condición los portadores minoritarios (huecos) Deli arterial tipo n o aliados en la regional de empobrecimiento por cualquier razón pasarán de inmediato al material tipo p | Sin polarizacion |
| El flujo neto de carga en una dirección es cero | Sin polarizacion |
| El número de iones positivos revelados en la regional de empobrecimiento del material tipo n se incrementan | Polarizacion inversa |
| Las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir por | Ecuación d Shockley |
| Existe entre él área de contacto en la unión y el nivel de corriente de saturación en inversa | Una correspondencia directa |
| Es el potencial de polarizacion en inversa que produce un cambio dramático de las características | Potencial Zener |
| El germanio suele tener voltajes de ruptura de | Menos de 100 V |
| Diodos que pueden llegar a operar hasta a -200 a 200 celcius | Diodos de GaAs |
| Se incrementará o reducirá con la temperatura según el potencial Zener | Voltaje de saturación en inversa de un diodo |
| Valor de la resistencia de un diodo en polarizacion inversa | Infinito para representar un circuito abierto |
| Con que otro nombre se le conoce a la resistencia de CD | Estática |
| Con que otro nombre se le conoce a la resistencia de CA | Dinamica |
| Cuanto más bajo es el voltaje o corrinte | Más alta es la resistencia en CA |
| En este Modelo se representa una fuente, una resistencia y un diodo | Modelo lineal |
| En este Modelo se representa por una fuente y un diodo | Modelo simplificado |
| En este Modelo e representa por un diodo solo | Dispositivo ideal |
| Como es el valor de un resistor a frecuencias bajas | Fijo |
| Se emplean para proporcionar un intervalo más amplio de valores de una variable o cantidad de espacio limitado | Escala logarítmica |
| Qué sucede con el potencial Zener al incrementa el dopado y aumentar las impurezas | Reduce |
| Es en la que una variable de interés se gráfica con un nivel específico con una referencia de valor uno | Gráfica normalizada |
| De que material se producen los diodos blancos | De intruso de galio |
Created by:
bernardina.arce